칩스케이, 질화갈륨 전력반도체 국제상표 등록 완료

사진 = 뉴시스

 

질화갈륨(GaN) 전력반도체 설계 전문 기업 칩스케이는 세계지식재산기구(WIPO)를 통해 GaN 전력반도체 기술에 대한 국제상표 등록을 완료했다고 1일 밝혔다.

뉴시스 보도에 따르면, 회사 측에 따르면 HighGaN은 칩스케이의 GaN 기반 전력반도체 소자가 높은 성능(High performance)과 신뢰성(High reliability)을 가지고 있다는 의미다. 상표 등록을 통해 칩스케이는 기술의 브랜드화, 글로벌 IP(지식재산권) 포트폴리오 강화에 나선다는 계획이다.

칩스케이는 국내 처음으로 실리콘 기판 위에 갈륨 나이트라이드 층을 성장시킨 웨이퍼(Gan-on-Si) 기반 650V급 전력반도체 양산을 시작으로 고속 충전기·AI 데이터센터·산업용 전원 장치 등 다양한 응용 분야로 제품 공급을 확대 중이다.

연평균 35% 이상 고성장을 기록 중인 GaN 전력반도체 시장에서 칩스케이는 글로벌 고객·파트너사에 HighGaN 브랜드를 통해 기술 신뢰성과 제품 차별성을 알리고 신규 고객사 마케팅에 집중할 계획이다.

곽철호 칩스케이 대표는 "HighGaN 브랜드 확보는 단순한 명칭 등록을 넘어 기술 정체성과 차세대 시장 주도권 확보를 위한 전략적 조치"라며 "양산 기술력과 더불어 브랜드 가치까지 강화해나가겠다"고 말했다.