전 세계 반도체 EUV 노광장비를 독적 공급하고 있는 내덜란드 ASML이 중국이 오랫동안 반도체 리소그래피 장비를 개발해 왔다고 밝혔다.
크리스토퍼 푸케 ASML CEO는 최근 외신들과 가진 인터뷰에서 “중국이 오랫동안 리소그래피 장비를 개발해 왔다”고 인정했다. 그는 중국이 ASML의 EUV 노광장비 기술을 따라잡는데는 아직 갈 길이 멀지만, 미국의 규제가 중국이 돌파구를 마련하기 위한 노력을 촉구하고 있다며, 미국이 경쟁자를 견제하기보다는 기술 혁신에 초점을 맞춰야 한다고 지적했다.
앞서 중국은 중국과학원 주도로 주류 DUV의 노출 파장과 일치하는 193nm 간섭광을 방출할 수 있고 이론적으로 3nm 반도체 공정을 지원하는 고체 심자외선(DUV) 레이저 기술 개발에 성공했다고 발표했다.
이 장비는 평균 레이저 출력 70mW와 주파수 6kHz를 갖춘 이 기술은 상업적으로 이용 가능한 스펙트럼 순도를 달성하고 리소그래피 시스템의 구조를 크게 단순화, 에너지 소비와 비활성 가스에 대한 의존도를 줄인 것으로 알려졌다.
이 전고체 DUV 광원 기술은 스펙트럼 순도 측면에서 상용 표준과 거의 동일하지만 출력 전력과 주파수는 훨씬 낮다. 이 기술과 ASML의 현재 수준 사이에는 여전히 현격한 격차가 있으며, 주파수는 상대방의 약 2/3이고 출력 전력은 0.7%에 불과한 것으로 알려졌다.
이 때문에 중국의 EUV 노광장비는 실용화까지는 지속적이며 반복적인 최적화 작업이 필요한 것으로 전해졌다.
한편, 대만 디지털타임스에 따르면 중국은 국내에서 개발한 극자외선(EUV) 리소그래피 시스템이 화웨이 시설에서 테스트를 하고 있으며, 시험 생산은 2025년 3분기, 대량 생산은 2026년을 목표로 하고 있다고 전했다.
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