삼성보다 앞서 ‘AI폰’ 겨냥···SK하이닉스, 세계 첫 321단 낸드 선공

SK하이닉스가 세계 최초로 321단 1테라비트(Tb) TLC(트리플 레벨 셀) 4D 낸드 플래시 기반의 모바일 저장장치 솔루션 ‘UFS 4.1’ 제품 개발을 완료했다. [사진=SK하이닉스]

[이뉴스투데이 김진영 기자] SK하이닉스가 세계 최초로 321단 1테라비트(Tb) TLC(트리플 레벨 셀) 4D 낸드 플래시 기반의 모바일 저장장치 솔루션 ‘UFS 4.1’ 제품 개발을 완료했다. 낸드 기술의 최고층 돌파와 함께 모바일 온디바이스 AI에 최적화된 고성능·저전력 설계를 내세워 프리미엄 스마트폰 시장에서 메모리 리더십을 강화하겠다는 전략이다.

22일 SK하이닉스에 따르면 이번 신제품은 기존 238단 기반 제품 대비 전력 효율이 약 7% 향상됐다. 두께는 1mm에서 0.85mm로 줄어 초슬림 스마트폰에도 적용 가능하다. 저장 용량은 512GB와 1TB 두 가지 버전으로 구성, 연내 고객사 인증을 거쳐 내년 1분기부터 본격 양산에 돌입할 계획이다.

UFS 4.1 제품은 순차 읽기 속도 최대 4300MB/s를 지원한다. 모바일 기기의 멀티태스킹 성능에 직결되는 랜덤 읽기·쓰기 속도는 전 세대 대비 각각 15%, 40% 향상됐다. 현재 출시된 UFS 4.1 규격 제품 중 최고 수준의 성능이라는 게 회사 측 설명이다.

최근 스마트폰 등 모바일 기기에서 AI 연산을 자체 수행하는 온디바이스 AI 수요가 급증하면서 데이터 처리 속도와 배터리 효율 간 균형이 핵심 경쟁 요소로 부각되고 있다. AI 워크로드에 최적화된 메모리 솔루션이 요구되는 상황에서 이번 UFS 4.1 제품이 체감 성능을 끌어올리는 데 기여할 것으로 전망된다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 “이번 제품 출시를 시작으로 세계 최고층 321단 4D 낸드를 적용한 소비자용·데이터센터용 SSD 제품도 연내 개발을 완료할 계획”이라며 “AI 기술 경쟁력을 반영한 낸드 포트폴리오를 확대해 풀스택 AI 메모리 프로바이더로서 입지를 강화하겠다”고 말했다.