SK하이닉스가 용인 반도체클러스터 내 1기 팹(FAB·반도체 생산공장)의 첫 삽을 떴다.
25일 SK하이닉스와 용인특례시에 따르면 SK하이닉스는 전날 처인구 원삼면 용인 반도체클러스터 1기 팹의 본격 착공에 돌입했다.
SK하이닉스는 당초 다음 달부터 착공에 들어갈 계획이었으나 용인시가 예정보다 신속하게 인허가 절차를 진행, 지난 21일 건축허가를 낸 데 따라 착공 시점을 계획보다 앞당겼다.
시는 지난해 4월 SK하이닉스와 ‘생산라인 조기 착공 추진과 지역 건설산업 활성화를 위한 업무협약’을 맺은 데 이어 건축허가 태스크포스(TF)를 구성, 인허가 절차에 속도를 냈다.
원삼면 일대 415만㎡에 구축될 용인 반도체클러스터는 SK하이닉스 팹과 소부장(소재·부품·장비) 업체 협력화단지, 인프라 부지 등으로 조성되는 반도체 산업단지다.
SK하이닉스는 이곳에 총 4기의 팹을 순차적으로 조성한다. 1기 팹은 2027년 5월 준공이 목표다. SK하이닉스는 지난해 7월 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체클러스터의 1기 팹과 업무 시설을 건설하는 데 약 9조4천억원의 투자를 결정한 바 있다.
SK하이닉스는 이곳을 고대역폭 메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램 메모리의 생산 거점으로 삼고 향후 급증하는 AI 메모리반도체의 수요에 적기에 대응, 중장기 성장 기반을 구축할 계획이다.
SK하이닉스 관계자는 “대한민국 반도체 생태계 경쟁력을 제고하는 역할도 수행할 예정”이라고 말했다.
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