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25일 SK하이닉스 뉴스룸에 따르면 SK하이닉스는 전날 용인 반도체 클러스터 1기 팹의 본격 착공에 들어갔다. 용인 반도체 클러스터는 총 415만㎡ (약 126만 평) 규모 부지에 △SK하이닉스 팹 약 60만 평 △소부장 업체 협력화단지 14만 평 △인프라 부지 12만 평으로 용인시 처인구 원삼면에 조성되는 반도체 산업단지다.
SK하이닉스는 용인시가 예정보다 신속하게 인허가 절차를 진행해 지난 21일 건축을 허가하면서 착공 시점을 계획보다 앞당기게 됐다고 밝혔다. 당초 SK하이닉스는 다음 달부터 1기 팹 착공에 들어갈 계획이었다. 용인시는 지난해 4월 SK하이닉스와 ‘생산라인 조기 착공 추진과 지역 건설산업 활성화를 위한 업무협약’을 맺은 데 이어 건축허가 태스크포스(TF)를 구성해 인허가 절차에 속도를 냈다.
SK하이닉스는 용인 클러스터에 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 예정이다. 1기 팹은 2027년 5월 준공을 목표로 하고 있다.
SK하이닉스는 이곳을 고대역폭메모리(HBM)을 비롯한 차세대 D램 메모리 생산 거점으로 삼는다. 급증하는 인공지능(AI) 메모리 반도체 수요에 적기에 대응해 회사의 중장기 성장 기반을 주도할 예정이다. SK하이닉스는 국내 소부장 중소기업의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 ‘미니팹’을 1기 팹 내부에 구축할 계획이다. 미니팹은 반도체 소부장 등을 실증하기 위해 300㎜ 웨이퍼 공정장비를 갖춘 연구시설로, 이를 통해 실제 생산 현장과 유사한 환경을 협력사에 제공해 자체 기술 완성도를 높일 수 있도록 지원한다는 방침이다.
SK하이닉스 측은 “클러스터 내 50여개 반도체 소부장 기업과 함께 대한민국 반도체 생태계 경쟁력을 제고하는 역할도 수행할 예정”이라고 설명했다.
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