中, HBM 기초연구 분야서 韓 추월…작년 논문 169편 vs 67편

[사진＝SK］

고대역폭메모리(HBM) 반도체와 관련한 기초연구 분야에서 중국이 한국을 추월한 것으로 나타났다.

12일 백서인 한양대 중국학 교수 연구팀이 학술 연구 데이터베이스인 '웹오브사이언스'를 바탕으로 최신 HBM 연구 동향을 분석한 결과를 보면 중국 학술 기관은 지난해 HBM 부문에서 총 169편 논문을 등재했다.

이 부문에서 한국이 올린 논문은 67편으로 집계됐다. 한국이 세계 HBM 시장의 90%를 차지하고 있지만, 중국은 관련 논문을 한국보다 2.5배 이상 많이 발간한 것이다. 

같은 기간 미국은 114편, 독일은 30편, 인도는 29편, 대만은 23편을 각각 등재한 것으로 파악됐다.  

백서인 교수는 "중국이 핵심 반도체 분야에서 한국보다 더 많은 학술적 성과를 축적하고 있다"며 "창신메모리(CXMT)를 비롯한 중국 칩 기업은 HBM2 대량 생산으로 HBM 자급률을 내년까지 70%로 끌어올릴 것"이라고 말했다. 이어 "한·중 메모리 기술 격차는 종전 10년 수준에서 수년 이하로 좁혀질 가능성이 있다"고 진단했다.

실제로 중국은 CXMT, 우한신신(XMC), 퉁푸 마이크로일렉트로닉스 등이 HBM2 개발을 마무리했다. 통푸 마이크로일렉트로닉스는 화웨이에 HBM2를 납품했다. 

D램 시장에서도 중국은 한국을 추격하고 있다. 욜인텔리전스에 따르면 D램 시장의 CXMT 점유율은 지난해 5%다. 트렌드포스는 올해 3분기 메모리 시장에서 중국산 점유율이 10.1%를 차지할 것으로 전망했다.

CXMT는 데이터 전송 속도를 높이기 위해 설계된 메모리 DDR에서 DDR5까지 개발했다. 한국이 DDR5를 양산한 시점이 2021년인 것을 고려하면 한·중 기술 격차는 3년 정도로 단축됐다.