"D램도 거의 따라 잡혔다", 中 CXMT, 2027년 삼성. SK하이닉스 추월 전망

"D램도 거의 따라 잡혔다", 中 CXMT, 2027년 삼성. SK하이닉스 추월 전망

M투데이 2025-01-31 07:21:56 신고

3줄요약
중국 반도체업체 창신메모리(CXMT)가 D램부문에서 삼성전자와 SK하이닉스를 바짝 뒤쫓고 있다.

 

[M 투데이 이상원기자] 중국 최고 DRAM 생산업체인 창신 메모리(ChangXin Memory Technologies. CXMT)가 제조 기술을 16nm G4 D램까지 발전시켜 업계 선두인 삼성전자, SK 하이닉스, 미국 마이크론 테크놀로지와의 격차를 바짝 좁히고 있다.

캐나다 집적회로(IC) 리서치 회사인 테크인사이트(TechInsights)가 내놓은 최근 보고서에 따르면 CXMT는 첨단 반도체 칩 제조 노드를 사용, 소비자용 반도체 칩을 개발했다.

보고서는 강화되는 미국의 제재 속에서 개발한 새로운 16기가비트(Gb) 칩은 DDR5 기술을 채택, 2027년까지 D램 시장을 지배할 것으로 예상된다고 밝혔다.

약 67제곱밀리미터까지 측정하는 이 칩은 제곱밀리미터당 0.239Gb의 저장 밀도를 갖춘 것으로 알려졌다. CXMT의 최신 G4 D램 기술은 이전 G3 기술 노드보다 20% 더 작은 메모리 셀이다.

CXMT의 16㎚ G4 기술은 삼성전자와 SK하이닉스가 지난 2021년 본격 양산한 10nm 3세대공정과 같은 수준으로, D램 기술격차가 3년 정도로 좁혀졌다는 분석이 나온다.

보고서는 CXMT는 23nm G1 세대 노드와 18nm G2 세대 노드 이후 빠른 기술 진전을 이루고 있으며, 이는 삼성. SK하이닉스, 마이크론 등 글로벌 경쟁사에 훨씬 더 가까워진 것이라고 밝혔다.

또, 보고서는 CXMT의 발전은 미국의 제재에도 강력한 제재에도 불구하고 D램 메모리 칩 분야에서 중국의 발전이 어느정도인지를 가늠하는 잣대가 될 것이라고 덧붙였다.

CXMT는 2-3년 전까지만해도 DDR5 칩의 생산 수율이 20%에 불과, 어려움을 겪었지만, 이후 생산량을 계속 늘리면서 80%의 수율까지 끌어올린 것으로 알려졌다.

삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론은 현재 주로 12nm 및 14nm 노드를 사용해 생산하며 DDR5 메모리 시장을 주도하고 있다.

CXMT는 DDR3L, DDR4, LPDDR4X 및 LPDDR5 등으로 메모리 제품 포트폴리오를 확장하고 있다.

전문가들은 D램 기술력이 확보되면 고난이도 기술의 HBM(고대역폭메모리) 에서도 조만간 SK하이닉스 등 한국업체를 따라 잡을 가능성이 높다는 분석을 내놓고 있다.

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