삼성전자·인텔, 美 ISSCC 기조연설 나선다

삼성전자·인텔, 美 ISSCC 기조연설 나선다

이데일리 2024-12-29 17:23:33 신고

3줄요약
[이데일리 조민정 기자] 송재혁 삼성전자(005930) DS(반도체)부문 최고기술책임자(CTO) 사장이 ‘국제고체회로학회(ISSCC) 2025’에 기조연설자로 나선다.

송재혁 삼성전자 DS(반도체)부문 최고기술책임자(CTO) 사장.(사진=삼성전자)


29일 업계에 따르면 ISSCC를 주관하는 국제전기전자공학자협회(IEEE)는 최근 홈페이지를 통해 송 사장과 나비드 샤리아리 인텔 파운드리 기술개발 수석부사장 등 기조연설자 명단을 공지했다.

당초 내년 ISSCC 기조연설엔 팻 겔싱어 인텔 전 최고경영자(CEO)와 이정배 삼성전자 전 메모리사업부장(사장)이 진행할 예정이었다. 다만 두 사람 모두 올해 연말 현직에서 물러나면서 교체됐다.

ISSCC는 반도체 회로분야 최고 권위 학술대회로 ‘ISSCC 2025’는 내년 2월 16일(현지시간)부터 20일까지 미국 샌프란시스코에서 열린다. ISSCC 2024와 ISSCC 2023에서는 각각 케빈 장 TSMC 사업개발담당 수석부사장, 리사 수 AMD 최고경영자(CEO)가 기조연설을 진행한 바 있다.

송 사장은 내년 행사에서 ‘메모리 기술 혁신에 따른 인공지능(AI) 혁명’을 주제로 삼성전자의 메모리 기술력과 차세대 메모리 솔루션을 알릴 것으로 예상된다. 샤리아리 수석부사장은 ‘AI 시대 혁신 매트릭스’ 주제로 발표에 나선다. 이 자리에서 인텔의 파운드리(반도체 위탁생산) 기술력과 공정 로드맵을 소개할 가능성도 있다.

아울러 삼성전자는 400단 이상의 1Tb(테라비트) TLC(트리플레벨셀) 3D 낸드 플래시와 함께 4나노 플래그십 모바일 시스템온칩(SoC), CMOS 이미지센서, 게이트올어라운드(GAA) 기반 파운드리 기술 등의 연구개발 성과를 공유할 계획이다.

SK하이닉스(000660)도 이곳에서 용량과 성능을 향상시킨 321단 2Tb QLC(쿼드러플레벨셀) 3D 낸드 관련 기술을 소개할 전망이다.

Copyright ⓒ 이데일리 무단 전재 및 재배포 금지

본 콘텐츠는 뉴스픽 파트너스에서 공유된 콘텐츠입니다.

다음 내용이 궁금하다면?
광고 보고 계속 읽기
원치 않을 경우 뒤로가기를 눌러주세요

실시간 키워드

  1. -
  2. -
  3. -
  4. -
  5. -
  6. -
  7. -
  8. -
  9. -
  10. -

0000.00.00 00:00 기준

이 시각 주요뉴스

당신을 위한 추천 콘텐츠

알림 문구가 한줄로 들어가는 영역입니다

신고하기

작성 아이디가 들어갑니다

내용 내용이 최대 두 줄로 노출됩니다

신고 사유를 선택하세요

이 이야기를
공유하세요

이 콘텐츠를 공유하세요.

콘텐츠 공유하고 수익 받는 방법이 궁금하다면👋>
주소가 복사되었습니다.
유튜브로 이동하여 공유해 주세요.
유튜브 활용 방법 알아보기