[이뉴스투데이 고선호 기자] SK하이닉스가 차세대 HBM(고대역폭메모리) HBM3E 16단 제품을 세상에 공개했다.
곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장이 4일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 ‘SK AI 서밋(Summit) 2024’에서 ‘차세대 AI 메모리의 새로운 여정, 하드웨어를 넘어 일상으로'를 주제로 한 기조 연설에 나선 가운데 이 자리에서 현존 HBM 중 최대 용량(48GB)을 지닌 16단 HBM3E 개발을 세계 최초로 공식화했다. 이는 기존 12단을 넘어선 HBM3E 최고층 제품이다.
SK하이닉스 측에 따르면 16단 HBM3E는 내부 분석 결과 12단 제품 대비 학습 분야에서 18%, 추론 분야에서는 32% 성능이 향상됐다. 향후 추론을 위한 AI 가속기 시장이 커질 것으로 예상되는 가운데, 16단 HBM3E는 AI 메모리 No.1 위상을 더욱 공고히 해줄 것으로 기대되고 있다.
곽 사장은 최태원 SK 회장, 유영상 SK텔레콤 CEO 등 SK그룹 최고경영진과 주요 빅테크, AI 업계 유력인사들이 참석한 이날 행사에서 시간의 흐름에 따른 메모리의 개념 변화를 설명하고, AI 시대를 이끌어 가고 있는 SK하이닉스의 기술력과 제품을 소개했다.
그는 “고객과 파트너, 이해관계자들과 긴밀히 협력해 ‘풀스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)’로 성장하겠다”고 미래 비전을 제시했다.
이어 "앞으로 본격화될 AI 시대에는 메모리가 ‘창의’와 ‘경험’으로 확장된 의미를 가지게 될 것"이라며 "과거의 데이터를 학습하고, 이를 기반으로 새로운 데이터를 추론하는 AI가 인류에게 새로운 경험과 미래를 선물할 것이기 때문이다. 이것이 SK하이닉스가 내다보는 미래의 ‘창의적 메모리(Creative Memory)’이며, 이런 변화는 강력한 컴퓨팅 파워를 지원하는 차세대 메모리 반도체 없이는 실현될 수 없다"고 강조했다.
HBM 시장 전망에 대해서는 HBM4부터 16단 시장이 본격적으로 열릴 것으로 내다보는 한편, 이에 대비한 기술 안정성 확보와 48GB 16단 HBM3E 개발 가속화 등의 일정을 공유했다. 16단 HBM3E를 생산하기 위해 당사는 12단 제품에서 양산 경쟁력이 입증된 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 활용할 계획이며, 백업 공정으로써 하이브리드 본딩(Hybrid bonding) 기술도 함께 개발하고 있는 것으로 나타났다.
또한 SK하이닉스는 차세대 HBM 개발 가속화를 위해 HBM4부터 베이스 다이(Base Die)에 로직 공정을 도입할 예정이다. 글로벌 1위 파운드리 협력사와의 원팀 파트너십을 기반으로 고객에게 최고의 경쟁력을 갖춘 제품을 제공하겠다는 구상이다.
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