삼성전자, 3분기 반도체 영업익 4조 하회… "일회성 비용 영향"

삼성전자 평택캠퍼스 라인 내부 전경. / 사진=삼성전자

삼성전자의 3분기 반도체 영업이익이 직전분기대비 40% 넘게 줄어들며 4조원을 하회했다. 이는 시장의 전망치를 밑도는 것이다.

31일 삼성전자에 따르면 반도체 사업을 담당하는 DS부문의 3분기 실적은 매출 29조2700억원, 영업이익 3조8600억원이다.

DS매출은 전년동기대비로 78% 증가했고 직전분기를 대비로도 2.4% 증가했다.

영업이익은 전년동기대비 흑자전환해 성공한 반면 직전분기를 대비론 40.2% 급감했다. 증권사의 전망치에도 못미친다. 당초 시장에선 삼성전자의 DS부문 영업이익이 4조1000억원대를 기록할 것으로 예상했다.

메모리는 AI(인공지능) 및 서버용 수요에 적극 대응해 ▲HBM(고대역폭메모리) ▲DDR5(어블 데이터 레이트5) ▲서버용 SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 등 고부가가치 제품 판매가 확대돼 높은 매출 성장을 기록했다.

다만 전분기 대비 재고평가손 환입 규모 축소와 인센티브 충당 등 일회성 비용, 달러 약세에 따른 환영향 등으로 이익은 감소했다는 게 삼성전자의 설명이다.

시스템LSI는 매출 극대화 및 재고 최소화로 매출은 증가했으나 일회성 비용 증가로 실적은 하락했다. SoC(시스템 온 칩)는 플래그십 제품의 신규 고객사 확보로 판매량이 증가했고 DDI(디스플레이 드라이버 IC)도 판매가 확대됐다.

파운드리는 모바일 및 PC 수요 회복이 기대보다 부진한 가운데 일회성 비용 영향으로 전분기 대비 실적이 하락했으나 5나노 이하 첨단 노드 중심으로 수주 목표를 달성했고, 2나노 GAA PDK를 고객사에 배포해 제품 설계가 진행 중이다.

삼성전자는 4분기 메모리는 서버 수요 강세가 유지되고 모바일은 일부 고객사 재고 조정이 지속될 것으로 전망됨에 따라 수익성 위주로 사업 포트폴리오를 개선할 방침이다.

D램의 경우 HBM 판매를 지속 확대하고 서버용 DDR5는 1b 나노 전환 가속화를 통해 32Gb(기가비트) DDR5 기반 고용량 서버 수요에 적극 대응할 방침이다.

낸드는 8세대 V낸드 기반 PCIe 5.0 판매를 더욱 확대하고 고용량 QLC 양산 판매를 통해 시장 리더십을 강화할 계획이다.

시스템LSI는 SoC의 경우 '엑시노스 2400' 공급을 확대하고 DDI는 IT용 OLED 확대 지원 및 모바일 OLED TDDI 제품 상용화에 집중할 계획이다.

파운드리는 주요 응용처 시황 반등이 지연되면서 고객 수요 약세가 전망되는 가운데 다양한 응용처를 확대해 실적 개선을 추진하고 2나노 GAA 양산성 확보 등을 통해 고객 확보에 주력할 방침이다.

삼성전자는 내년엔 거시경제 불확실성이 지속되는 가운데 시장 수요 성장을 기대했다. 메모리는 AI와 연계된 데이터센터 투자 등으로 고용량 및 고성능 제품 수요 증가가 예상되는 바 첨단공정 비중을 확대해 나갈 계획이다.

삼성전자 관계자는 "HBM3E 판매를 더욱 확대하는 한편, HBM4는 하반기에 개발 및 양산을 진행할 예정"이라며 "서버용 128GB 이상 DDR5 및 모바일∙PC∙서버용 LPDDR5X 등 고사양 제품 판매를 적극 확대하는 한편 8세대 V낸드로의 공정 전환을 본격화하고 QLC 기반 고용량 수요에도 적극 대응할 방침"이라고 전했다.

시스템LSI는 주요 고객사 플래그십 제품에 SoC 공급을 집중하는 한편 차세대 2나노 제품 준비에 집중할 계획이다. 이미지 센서는 기능 차별화를 통한 신규 제품 공급을 확대하고, DDI는 패널 디스플레이구동칩(PDDI)과 타이밍 콘트롤러(T-CON)를 통합한 솔루션 개발 등을 통해 제품 차별화를 추진할 방침이다.

이 외에 파운드리는 첨단공정 양산성 확보를 통해 매출 확대를 추진하고 2025년 2나노 양산 성공을 통해 주요 고객 수요를 확보할 계획이다. 삼성전자 관계자는 "메모리 사업부와 협력해 HBM 버퍼 다이 솔루션을 개발해 신규 고객 확보를 추진할 방침"이라고 말했다.