김우현 CFO "올해 10조 투자한 SK하이닉스, 내년 투자 늘린다”

김우현 CFO "올해 10조 투자한 SK하이닉스, 내년 투자 늘린다”

데일리임팩트 2024-10-25 15:45:26 신고

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청주 신규 팹 M15X 건설 조감도. /사진=SK하이닉스
청주 신규 팹 M15X 건설 조감도. /사진=SK하이닉스

[딜사이트경제TV 황재희 기자] SK하이닉스가 내년도 투자를 늘린다. 규모는 올해 투자 예상액인 10조원대  중후반대보다 소폭 늘어날 전망이다.  AI(인공지능)향 반도체로 수요가 급등한 HBM(고대역폭메모리)주도권을 이어가기 위해 시설 투자에 속도를 내겠다는 계획이다. 차세대 제품인 HBM4 적기 양산뿐 아니라 재고부담이 큰 레거시 제품 선단 공정 전환도 빠르게 진행해 투자 효율성도 높여나간다. 

SK하이닉스는 24일 3분기 실적발표 컨퍼러스콜(컨콜)을 통해 이같은 투자 계획을 담은 내년도 사업 계획과 D램 시장 전망등을 발표했다.

내년도 투자, 10조원 중후반보다 증가

김우현 SK하이닉스 부사장(CFO·최고재무책임자)은 “HBM 적기 대응 등을 위한 올해 투자 규모는 당초 계획보다 증가한 10조원 중후반대로 예상된다”며 “2025년은 구체적인 (투자)규모는 확정되지 않았으나 HBM의 안정적 공급을 위한 투자, 고객사 공급 계약 투자 완료한 제품 위주로 진행할 것”이라고 말했다.

이어 김 부사장은 “레거시 제품은 줄이고 청주M15X와 용인 팹을 고려하면 내년은 올해보다 인프라 투자가 소폭 증가할 것으로 예상한다”고 덧붙였다.

앞서 SK하이닉스는 지난 4월 HBM 등 차세대 D램 생산능력 확충을 위해 청주에 M15X 건설을 결정하고 팹 건설에 약 5조3000억원을 투자하겠다고 발표했다. 공장 준공 시기는 2025년 11월로 예정돼 있다. 

김 부사장은 “다만 투자 규모 증가분이 대부분 인프라와 R&D(연구개발), 후공정에 투입되는 점을 감안하며 단기 생산 증가 영향은 제한적”이라고 짚었다. 이어 그는 "내년 완공되는 M15X가 D램 생산에 기여하는 시기는 2026년으로 예상한다"며 "당사는 신규 팹 양산 시기와 규모를 탄력적으로 조정해 나갈 것"이라고 말했다. 

(왼쪽부터) 김주선 사장(AI Infra 담당), 곽노정 대표이사 사장, 안현 부사장(N-S Committee 담당), 김우현 부사장(CFO) /사진=SK하이닉스 
(왼쪽부터) 김주선 사장(AI Infra 담당), 곽노정 대표이사 사장, 안현 부사장(N-S Committee 담당), 김우현 부사장(CFO) /사진=SK하이닉스 

HBM 공급 과잉 우려에 '시기상조'

SK하이닉스는 이날 컨콜에서 HBM 경쟁 심화에 따른 과잉 공급 등 시황 변화에 따른 우려에 대해서도 의견을 밝혔다.

김규현 SK하이닉스 D램 마케팅 담당은 HBM 공급 과잉 전망에 대해 ‘시기상조’라고 일축하며 “(HBM은) 내년에도 공급보다 수요가 강하다”고 밝혔다. 김 담당은 “AI 반도체나 HBM 수요 둔화를 거론보다는 오히려 HBM 신제품 개발 기술 난이도가 증가하고 수율 로스(손실), 고객인증 여부 등을 감안하면 메모리 업계가 고객이 요구하는 품질의 제품을 적기에 충분히 공급하는 것이 쉽지 않은 상황”이라고 말했다.

경쟁사인 삼성전자가 5세대 제품인 HBM3E 8단 제품과 관련해 아직 고객사 퀄테스트(품질검증)가 진행 중인 것을 염두해 둔 발언으로 해석된다. SK하이닉스는 이 제품을 이미 지난 3월 엔비디아에 공급했다.

SK하이닉스는 일반 D램과 달리 고부가가치 제품으로 평가받는 HBM 제품은 고객사들이 장기계약하고 있어 안정적인 매출이 가능하다고 강조했다. 실제 SK하이닉스의 내년도 HBM 생산 물량 역시 솔드아웃(완판)된 상태다.

이날 SK하이닉스는 HBM3E 8단으로 선점한 시장 리더십을 차세대 제품인 12단에서도 이어가겠다고 강조했다. 김 담당은 “이번 3분기에 HBM3E 제품 판매가 HBM3를 앞질렀다”며 “HBM3E 12단 제품도 지난달부터 양산을 시작한 만큼 내년 하반기는 대부분의 물량이 12단이 될 것”이라고 강조했다.

HBM3E 12단 제품. / 사진=SK하이닉스
HBM3E 12단 제품. / 사진=SK하이닉스

6세대 ‘HBM4’도 주도할 것

SK하이닉스는 6세대 제품인 HBM4 등 차세대 제품 개발도 차질 없이 준비하고 있다고 이날 밝혔다. 이는 삼성전자 등 경쟁사의 추격을 견제하는 한편 일반 D램 등 레거시 제품에 대한 중국 후발업체를 따돌리기 위한 전략이다.

이를 위해 PC나 모바일 수요 둔화로 재고가 늘고 있는 일부 레거시 제품 생산 비중은 빠르게 축소하고 HBM 생산을 위한 선단 공정을 앞당겨 추진하겠다는 계획이다. HBM4가 기존 5세대 제품보다 기술적 난이도가 높아지는 만큼 파운드리 업체인 대만 TSMC와 원팀 체계를 구축해 완성도를 높이고 적기 공급하겠다는 각오다.

김 담당은 "칩 구조상 HBM4 셀 영역 면적이 적어 선단 공정을 적용해도 베네핏이 제한적이기에 적기 공급을 위해 이미 안정성과 양산성이 보장된 어드밴스드 MR-MUF 기술 등을 적용해 2025년 하반기 출하할 것"이라며 "이를 통해 적기 공급뿐 아니라 지속적인 HBM 시장 리더십을 지켜나갈 것"이라고 강조했다.

SK하이닉스가 차세대 HBM에 집중하는 것은 높은 AI 반도체 수요가 지속되며 시장 수요가 당분간은 견조하다고 보고 있어서다.  SK하이닉스는 HBM 이 실적을 견인하며 올 3분기 매출 17조5731억원, 영업이익 7조300억원의 사상 최대 분기 실적을 기록했다.

3분기 7조원대 영업이익은 경쟁사인 삼성전자 DS(디바이스솔루션) 부문과 비교해서도 앞설 것으로 전망된다. 삼성전자는 최근 잠정실적 발표를 통해 3분기 영업이익을 9조1000억원이라고 공시했다. 삼성 DS부문의 영업이익이 전체에서 약 60% 를 차지하는 점을 고려하면 5조원대 영업이익으로 추정된다.

김 담당은 “중장기적으로 D램 수요는 연평균 10% 중후반대 성장을 전망하지만 HBM은 D램 평균을 크게 상회할 것으로 예상한다”고 강조했다. SK하이닉스의 D램 매출 비중에서 HBM은 올 연말 40%대까지 증가할 것으로 기대되고 있다. 

 

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