三星2纳米工艺产能提速 与台积电差距有望收窄

【图片来源 韩联社】

一项调查显示，三星电子有望在明年年底前显著提升2纳米工艺良率，并在一年内将产能扩大至目前水平的两倍以上，从而进一步缩小与行业龙头企业台积电（TSMC）之间的竞争差距。

全球市场研究机构Counterpoint Research于21日发布的报告显示，三星电子以提高先进制程市场份额为目标，将改善2纳米工艺良率列为当前首要任务。该机构预测，凭借加速的研发进程、更完善的工艺控制体系，以及与核心客户的早期合作，三星2纳米工艺的月产能预计将在明年年底达到2.1万片晶圆（wpm），同比（月均8000片）增长约163%。

Counterpoint Research进一步预计，三星电子将在2纳米工艺方面获得五家主要客户的支持。初期需求将主要来自已获订单的特斯拉人工智能（AI）芯片、三星系统LSI部门自主研发的Exynos 2600应用处理器（AP）、比特微（MicroBT）与嘉楠科技的挖矿专用ASIC芯片，以及高通的第五代骁龙8s Elite等产品。

其中，Exynos 2600有望成为三星2纳米工艺上首款实现量产的系统级芯片（SoC）。此外，高通预计将于明年年初基于该工艺完成第五代骁龙8s Elite高端应用处理器的流片工作，即完成芯片设计最终阶段并交付代工厂进入试产，标志着产品进入大规模量产前的关键步骤。

Counterpoint Research分析指出，随着三星在移动通信、高性能计算及AI相关应用等领域持续拓展客户群，2纳米工艺的推进将成为其发展的重要转折点。若三星能够持续提升良率稳定性，并确保位于美国泰勒的新建工厂顺利实现量产目标，则有望显著缩小与台积电在先进半导体工艺方面的差距。数据显示，今年第二季度全球晶圆代工市场中，台积电以71%的份额位居首位，三星电子则以8%的份额排名第二。