三星电子重夺存储芯片王座 AI热潮推动"超级周期"来临

三星电子在今年第三季度击败SK海力士，重新夺回存储芯片市场王座，但行业焦点不仅是排名变化，更在于由两家公司业绩产生的巨大涓滴效应。人工智能（AI）数据中心订单激增导致存储芯片供不应求，第四季度起可能进入随口叫价的超级周期。分析认为，两家市场份额仅相差0.4个百分点，竞争激烈的企业都会迎来史上最佳业绩盛宴。

市场调研机构CFM闪存市场20日数据显示，三星电子第三季度DRAM营收环比增长29.6%，达到139.42亿美元，以34.8%的市场份额超越SK海力士（34.4%），重返首位。这一成果得益于第五代高带宽存储器（HBM3E）供应的正式启动以及通用产品价格上涨的双重作用。SK海力士同样表现强劲，营收达到137.90亿美元，紧追三星。

三星夺回第一和市场格局变化的核心动力在于AI基础设施投资热潮。CFM报告显示，最近三星电子和SK海力士与OpenAI就“星际之门”（Stargate）项目签署月产90万片DRAM晶圆的生产合作意向书。这一规模是目前整个HBM产业生产能力的两倍以上，单一项目就能让全球存储芯片工厂满负荷运转的罕见现象上演。

微软和Meta等北美云服务提供商也大幅增加明年的AI基础设施预算，加入产能争夺战。尤其是硬盘驱动器（HDD）供不应求，大容量企业级SSD（eSSD）订单也随之激增，导致服务器市场如同黑洞一般吸纳存储芯片，这可能直接转化为存储芯片企业利润的飙升。

需求旺盛而供应有限，价格决定权已完全转移至供应方手中。CFM在报告中预测，服务器用DRAM和NAND订单激增，第四季度服务器用DDR5价格涨幅或超过40%。基于NAND闪存的企业级SSD价格预计也会飙升30%至40%。

随着产线集中于利润率更高的服务器产品，普通消费级产品价格也开始出现波动。第四季度PC用DRAM价格预计上涨30%至40%，移动用LPDDR价格或上涨40%以上。vivo和OPPO等中国智能手机厂商已经在存储芯片成本压力下上调新品出厂价格。

业内预计这种卖方优势局面可能持续至后年，并推动三星电子和SK海力士业绩高歌猛进。CFM预测明年服务器DRAM比特需求或同比增长40%以上，而供应增长率预计仅在15%至20%左右。

行业相关人士表示，三星电子以0.4个百分点的优势夺回第一，SK海力士紧追不舍，两者的竞争现在已经超越单纯的市场份额之争，演变成为利润之战。在AI这一巨浪造成的供应短缺缝隙中，两家企业未来的业绩可能超出市场预期。
 

三星电子HBM3E与HBM4产品【图片来源 韩联社】