SK海力士量产321层QLC NAND闪存 进军AI数据中心市场

据SK海力士25日消息，公司目前已经成功开发并量产全球首款321层2Tb（太比特）QLC NAND闪存产品。这一突破不仅刷新NAND闪存技术的层数纪录，也为高容量与高性能存储解决方案开辟新的道路。

根据行业分类，NAND闪存按单元（Cell）存储比特数的不同分为SLC、MLC、TLC、QLC、PLC等类型。其中QLC单元可存储4位信息，在单位面积内能够实现更高的数据存储密度。此次SK海力士实现业界首个“300层以上的QLC NAND”，在现有NAND产品中拥有最高的集成度。公司表示，该产品已通过全球主要客户验证，预计明年上半年正式投入AI数据中心市场。

为了最大化成本竞争力，SK海力士把该产品容量提升至2Tb，是现有产品的两倍。一般来说，大容量通常伴随更复杂的存储管理与更慢的数据处理速度。对此，公司通过把NAND芯片内部可独立运行的平面（Plane）架构从四平面扩展为六平面，大幅增强并行处理能力，从而缓解性能下降问题。

在性能方面，新产品数据传输速度提升一倍，写入性能最高提升56%，读取性能提升18%。此外，数据写入能效提高23%以上，为AI数据中心等低功耗应用场景提供更强的竞争力。

应用层面，SK海力士计划首先在PC固态硬盘（SSD）中采用321层QLC NAND，随后扩展至企业级SSD（eSSD）和智能手机用嵌入式存储（UFS）产品。与此同时，公司计划依托独有的32层堆叠封装（32DP）技术，实现较现有产品高出一倍的集成度，正式进军面向AI服务器的超高容量eSSD市场。

SK海力士NAND开发负责人郑羽杓（音）副社长表示：“此次产品的量产不仅进一步丰富高容量存储产品组合，同时确保成本优势。为应对快速增长的AI需求和数据中心市场的高性能要求，我们会作为‘全方位面向AI的存储器供应商’，迎来更大飞跃。”
 

SK海力士321层2Tb QLC NAND闪存【图片来源 SK海力士】