三星第六代DRAM良率突破50% 奋力追赶势必重返芯片王座

三星电子去年对于半导体良率不佳采取的更换部门总管这一“强硬手段”初见成效，在最近的下一代DRAM良率测试中取得令人满意的成果。DRAM的性能直接关系到高带宽存储器（HBM）的市场竞争能力，因此外界对于三星半导体实现超越并恢复领先的期待也随之升温。

据电子行业30日消息，三星电子本月在10纳米级第六代DRAM晶圆的性能实验中实现50%以上良率。也就是说，从一片晶圆中生产出的1000多颗DRAM芯片中，一半以上达到性能标准。业内普遍认为，40%左右的良率即可满足量产要求，而三星此次的成果远超这一标准。考虑到去年相同产品的良率未达30%，此次提升可谓显著。

三星实现突破的关键在于芯片设计。为了提高芯片运行效率，研发团队试图采用多种新型结构。实际上，设计变更并非易事，不仅需要承认过去设计的不足，还可能在此过程中与竞争对手拉开技术差距，同时需要投入大量资金。三星原计划去年底量产10纳米级第六代DRAM，但如果改变设计，计划可能延后一年以上，因此风险极高。

去年5月回归设备解决方案（DS）部门的副会长全永铉判断，唯有修改设计才能恢复核心竞争能力。一年之后，当初的决定正在逐步显现成效。三星电子目前以年内量产为目标，继续推进第六代DRAM的后续测试。业内人士表示，为确认是否已经具备可以立即销售的稳定性能，还需要通过更加严格的测试。

随着下一代DRAM开发进展顺利，市场对HBM的期待也在升温。HBM芯片由多层DRAM堆叠而成。三星此前在第五代HBM（HBM3E）上遭SK海力士超越，因此正在计划以全球首款10纳米级第六代DRAM为基础，在年内实现第六代HBM（HBM4）量产，力争逆转颓势。要想按照计划推出产品，10纳米级第六代DRAM的技术水平至关重要。

为了配合下一代DRAM与HBM4的生产，三星还计划下半年起以平泽四厂为主扩充最先进的半导体生产设备。此外，三星还正在推进华城工厂DRAM 17产线工艺转换，旨在通过大幅设备投资来提升成本竞争能力。

为弥补在第六代产品上败给竞争对手的失误，三星还在同步推进10纳米级第七代DRAM的开发。据悉，三星已在平泽二厂建立第七代DRAM试验产线，并在研发阶段成功制出运作样品（working sample）。三星的策略是通过调整DRAM元件长度降低开发难度并加快量产进度。

SK海力士已经领先完成10纳米级第六代DRAM的开发，但如果三星能在第七代DRAM开发中实现反超，则有望摆脱“半导体危机论”，以此重新夺回DRAM市场份额第一的宝座。业内人士透露，三星的目标是最早在明年下半年开始第七代DRAM的量产。
 

三星电子平泽工厂全景【图片来源 三星电子】