美상무장관 “TSMC, 美서 첨단 4나노 칩 양산…큰 성과”

[이데일리 김윤지 기자] 지나 러몬도 미국 상무장관이 “미국 역사상 처음으로 미국 땅에서 4㎚(나노미터·10억분의 1m) 칩을 생산하고 있다”고 지난 10일(현지시간) 로이터통신과 인터뷰에서 밝혔다. 세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 업체 대만 TSMC가 미국 애리조나 공장에서 최첨단 4나노 칩을 양산하기 시작한 것이다.

대만 TSMC 로고(사진=로이터)

러몬도 장관은 인터뷰에서 “미국 노동자들이 수율과 품질 면에서 대만과 동등한 수준의 첨단 4나노미터 칩을 생산하고 있다”면서 “이것은 큰 성과이자, 이전에는 한 번도 이뤄진 적이 없었고 많은 사람이 불가능하다고 생각했던 일”이라고 평했다.

그는 상무부가 미국 내 계획을 확장하도록 TSMC를 설득해 이뤄졌다고 설명했다. 그는 “이 일은 저절로 이뤄진 것이 아니”라면서 “TSMC가 확장을 원하도록 우리가 설득해야 했다”고 말했다.

러몬도 장관은 미국이 2030년까지 세계 최첨단 칩의 20%를 미국에서 생산하기를 희망했다고 로이터는 전했다.

미 상무부는 지난해 11월 반도체법에 따른 자금 조달 프로그램에 근거해 TMSC에 66억달러(약 9조 7336억원) 규모 보조금을 확정했다. 조 바이든 행정부는 글로벌 반도체 기업들의 미국 내 공장을 건설하도록 독려하기 위해 지난 2022년 초당적인 지지를 받아 527억달러(약 77조 7219억원) 규모의 반도체법을 통과시켰다.

TSMC는 지난해 4월 미국 내 투자 규모를 250억달러(약 36조 8700억원)에서 650억달러(약 95조 8620억원)로 확대하고 2030년까지 애리조나주에 2나노 공정이 활용될 세 번째 팹(반도체 생산공장)을 건설한다는 계획을 발표했다. 두 번째 팹은 2028년부터 최첨단 2나노 공정 기술을 채택한 웨이퍼를 양산할 예정이다. 세 번째 팹은 2030년 말 이전에 2나노 또는 ‘A16’(1.6나노 공정) 생산을 계획하고 있다.