三星拟引进干式光刻胶技术 巩固10纳米级DRAM领先优势

据半导体业界9日消息，三星电子半导体（DS）部门正在对干式光刻胶技术进行内部评估，计划率先将其应用于10纳米级第六代DRAM中，以保持在业内的领导地位，并拉大与SK海力士、美光科技等竞争对手的技术差距。

干式光刻胶技术用于半导体电路曝光工艺之前。通常在曝光工艺前，会在晶圆上涂抹一种对光敏感的液体光刻胶（PR）。干式光刻胶技术则无需涂抹液体光刻胶，而是通过化学反应在晶圆上形成一层薄膜，较涂抹液体光刻胶更薄且更均匀。此外，干式光刻胶还能更精确地刻出超微细电路，并且相较液体光刻胶的材料浪费更少。

三星电子正在考虑在10纳米级第六代DRAM的40至50层堆叠中，将干式光刻胶技术用于某一层电路的制造。此外，这项技术也将用于超微细电路的极紫外光（EUV）光刻胶。三星正在与全球领先的设备制造商Lam Research合作开发这项技术。

如果三星成功将干式光刻胶技术用于量产，将对现有光刻材料与设备生态系统产生重大影响。业内人士透露，开发干式光刻胶设备内部的化学反应材料是一个难题，目前正在进行各种测试，以确保干式光刻胶设备在量产时与现有系统兼容。

三星电子期待通过在10纳米级第六代DRAM中率先引进这一技术，以确保技术实力超越竞争对手的领先优势。三星在今年4月于美国举行的行业会议MemCon 2024上宣布，计划在今年内量产10纳米级第六代DRAM。三星是首家公布这一量产计划的企业，显示出其保持全球DRAM技术领导地位的决心。

实际上，SK海力士在开发下一代产品的速度上略胜一筹。SK海力士上月底宣布，已完成10纳米级第六代DRAM的开发，并正在做量产准备。排名第三的美光科技也紧随其后，宣布将在其10纳米级第六代产品中首次引进EUV曝光工艺，紧追三星和SK海力士。

因此外界普遍认为，三星电子正在寻找能够同时提高生产能力和技术水平的创新材料与工艺。业界相关人士指出，三星管理高层可能对竞争对手缩小技术差距感到压力，因此除了开发新材料以外，三星还在积极推进三维（3D）DRAM等结构创新。
 

三星电子10纳米级第五代DRAM【图片来源 三星电子】