路透社:三星电子8层HBM3E芯片通过英伟达测试

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路透社:三星电子8层HBM3E芯片通过英伟达测试

아주일보 2024-08-07 10:12:49 신고


据路透社当地时间7日援引三位知情人士的消息称,三星电子第5代高带宽内存(HBM)芯片HBM3E(8层)日前通过英伟达的性能测试。

消息人士透露,三星电子和英伟达即将签订供货合同,预计从第4季度起开始供货,但12层版本的HBM3E芯片测试仍在进行中,目前英伟达和三星电子对路透社的置评请求尚未作出回应。

上月24日,路透社报道称,三星专为中国市场设计生产的HBM3芯片通过英伟达测试。目前SK海力士向英伟达独家供应HBM芯片,三星电子为了在人工智能(AI)半导体中巩固主导地位,迫切需要向英伟达供货。


 
英伟达CEO黄仁勋在三星HBM3E芯片上的签名。【图片提供 韩联社】

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