据路透社24日援引3名消息人士的话说，三星电子为美国半导体巨头英伟达生产的第4代高带宽内存（HBM）芯片HBM3首次通过质量测试，但第5代HBM3E尚未满足标准未能通过测试。
消息人士称，三星电子的HBM3是专为中国市场进行设计生产，将仅在搭载H20 GPU上，是否会在其他产品上使用仍是未知数。
HBM3E因未能满足英伟达的标准，测试仍在持续进行中，目前英伟达和三星电子尚未对路透社的报道进行回应。
三星电子生产的12层堆叠第五代高带宽内存 【图片提供 韩联社】
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