路透社：三星HBM芯片因发热问题未通过英伟达测试

24日，路透社援引三位不愿透露姓名的消息人士的话进行报道称，三星电子高带宽内存芯片（HBM）因发热和电力消耗等问题，未通过美国半导体生产商英伟达的测试。

消息人士透露，目前主要运用于人工智能（AI）用图形处理器（GPU）的第4代产品HBM3，以及第5代产品HBM3E存在发热及电力消耗等问题。

为向英伟达供货，三星电子从去年起接受英伟达对HBM3和HBM3E的测试。今年3月，英伟达CEO黄仁勋出席GTC 2024大会时，到访三星电子展台，在HBM3E 12层芯片上亲笔签下“JENSEN APPROVED”，引发外界对于三星电子HBM芯片通过测试的期待，但结果令人意外。

被指出的问题是否能够被轻易修复尚不可知，但消息人士称投资者们担心，三星电子在HBM领域可能会进一步落后于竞争对手SK海力士和美光科技。

虽然目前尚不清楚能否轻易修改被指出的问题,但消息人士们表示,投资者们担心三星电子在HBM领域有可能进一步落后于竞争公司SK海力士和美光科技。

三星电子目前虽然在DRAM芯片市场中全球领先，但HBM市场主导权从10年前开始便被SK海力士牢牢握在手中。SK海力士向英伟达独家供应HBM3，今年3月实现HBM3E 8层量产，并开始交付英伟达。

在HBM芯片领域错失主导权的三星电子本月21日对半导体部门负责人进行调整，任命未来事业规划团团长（副会长）全永铉为数字解决方案（DS）部门负责人。

就路透社的相关报道，三星电子当天发布立场称，正与全球多家合作伙伴顺利推进有关供应HBM芯片产品产品和性能的测试。三星电子努力持续改善全体产品质量，提高客户信任度，计划通过这些产品为顾客提供最佳解决方案。

受路透社报道的影响，三星电子股价当天开盘震荡，下跌超过2%。

业界相关人士称，从HBM特性上来看，为客户提供定制化产品十分重要，因此需分阶段满足客户需求的过程。质量测试仅是过程中出现的问题，并不能就此断言（质量测试）失败。


 

三星电子公开的第5代HBM 12层芯片。【图片提供 韩联社】