“中国芯”加速突破封锁引韩国恐慌 恐重蹈LCD市场覆辙

虽然在先进制程关键技术上屡屡遭到美方“卡脖子”，但中国在芯片领域仍然取得重大突破，继华为推出首款搭载自主研发7纳米芯片的智能手机Mate 60 Pro后，长鑫存储日前首次自主研发并量产LPDDR5芯片，实现这一领域零的突破。

三星电子、SK海力士与中国芯片企业的技术差距缩短至4至5年，虽然韩国芯片制造商仍在技术水平上处于领先地位，但在中国政府的重金扶植下，韩国业界担忧失守液晶面板（LCD）市场龙头老大的噩梦是否会在芯片领域重演。

据相关业界5日消息，DRAM芯片制造商长鑫存储日前官宣推出LPDDR5系列产品，包括12Gb的LPDDR5颗粒，POP封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片。并表示芯片已在小米、传音等品牌机型上完成验证。长鑫存储成立于2016年，专注于DRAM芯片的设计、研发、生产和销售，总部位于安徽省合肥市，目前在合肥、北京等地建成12英寸的晶圆厂并投产。

三星电子于2018年开发LPDDR5，SK海力士于2021年实现量产，长鑫存储此次成功开发LPDDR5，标志着与这两家韩国企业的技术差距缩短至4至5年。

中国芯片领域近来取得重大突破，华为今年8月推出搭载自主设计、中芯国际代工生产的7纳米芯片智能手机。长江存储去年底抢先三星电子和SK海力士开始量产第7代232层3D NAND芯片，龙芯上月发布新一代中央处理器3A6000。

虽然美方持续通过半导体设备出口禁令等企图遏制中国在芯片领域的发展，但在政府重金支援和企业投资的拉动下，先进制程芯片开发加速突破。国际半导体产业协会（SEMI）数据显示，今年第3几度，中国半导体制造设备采购规模为111亿美元，同比大增42%，采购额和增幅均位居全球首位。

三星电子和SK海力士高度关注中国半导体开发进程，即便半导体开发取得成功，在进行量产阶段也会出现良率不佳的问题，因此仍需进行验证。芯片业界相关人士称，开发与量产是完全不同的两个领域，长鑫存储的LPDDR5仍有待在终端设备上进行验证。

但“中国芯”的加速突破已引起韩国业界的高度警惕，继推出LCD市场后，半导体市场或重蹈覆辙。有观点认为在中国政府的全力支援下，迎头赶上韩国只是时间问题，业界呼吁政府加大对研发的支援力度，巩固在先进制程上的领先地位。

 

长鑫存储推出自主研发生产的LPDDR5存储芯片 【图片来源 网络】