半导体减产效果渐显 存储芯片价格或在年内反弹

随着半导体行业正式开始实施减产，有预测称存储芯片价格跌势将在年内出现回升。

市场调查企业Yole Intelligence于13日发表报告称，由于存储芯片供应商减产，今年末半导体市场将达到供求均衡，产品价格将在达到均衡前开始上涨。

报告指出，去年下半年存储芯片开始减产，由于存储芯片的生产周期为6个月左右，目前减产效果已开始逐渐显现。预计DRAM和NAND闪存的价格均将在今年第三季度左右趋近平稳。

按产品分类来看，DRAM今年的供给位元成长率（Bit Growth）将较去年减少9%，NAND闪存将放缓5%。最近七年间，DRAM与NAND闪存的年均供给位元成长率分别为21%和36%，相比之下今年呈现出急剧下降。

DRAM正处于主力产品DDR4向新一代的DDR5进行更新换代的时期，因此除DDR4以外的其他产品出现供应不足现象，对此有意见认为DRAM价格或将上涨。而NAND闪存因产量缩减速度快，预计市场供求将迅速恢复均衡。

Yole Intelligence存储芯片研究部门相关人士表示，短期内或将出现因存储芯片产品供应不足导致的价格上涨。存储芯片供应商因史无前例的低迷业绩，正在承受数万亿韩元的营业损失。在这种情况下，芯片供应商需要时间补充资金，可能今后几年内都不会增加设备投资和产量，因此预计明年或将出现供不应求导致的价格上涨。

证券界也预测半导体的市场供求将出现逆转，正在上调三星电子和SK海力士的目标股价。因半导体供需改善和人工智能（AI）服务器市场需求走高，KB证券13日将三星电子的目标股价上调至9.5万韩元（约合人民币534.82元），投资意见维持在买入。对于SK海力士的目标股价也从现有的11万韩元上调至15万韩元，上调幅度为36.4%。

KB证券相关人士表示，今年第二季度DRAM的出货量预计将较第一季度增加20%，库存开始减少，供需得到改善，因此第四季度DRAM与NAND闪存的价格将有所上升。
 

SK海力士生产的DRAM【图片来源 SK海力士】