중국 메모리와 한국 메모리 간의 기술 격차가 빠르게 좁혀지고 있다.
한국반도체산업협회(KSIA)에 따르면 한국과 중국의 메모리 기술 격차는 HBM 3년, DRAM 2년, NAND 플래시 1년 수준으로 좁혀졌다.
삼성전자와 SK하이닉스가 2025년 300단급 낸드 생산에 들어갔을 당시 YMTC는 270단급 제품을 생산했다.
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