삼성전자, HBM5에 2나노 공정 적용…“속도 50% 이상 향상”

삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM5의 베이스다이에 게이트올어라운드(GAA) 기반 2나노 파운드리 공정을 적용한다.

구자흠 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장(부사장)은 27일 삼성전자 반도체 뉴스룸을 통해 “HBM5는 직전 세대인 HBM4E보다 동작 속도를 50% 이상 높여야 할 것으로 예상된다”며 “HBM5 베이스다이에 GAA 구조의 2나노 공정을 적용하고 더욱 높은 집적도의 실리콘관통전극(TSV)을 구현할 예정”이라고 밝혔다.

삼성전자는 올해 2월 양산 출하한 HBM4와 5월 샘플을 공급한 HBM4E 12단 제품의 베이스다이에 파운드리 4나노 4세대 공정을 적용했다.