삼성 4나노 주역 "초저전력 기술로 HBM4 성능 높였다"
3차원 핀펫(FinFET) 기반 초저전력 반도체 공정을 개발한 삼성전자 엔지니어가 올해 대한민국 엔지니어상을 수상했다.
최정민 삼성전자 파운드리사업부 PL.(사진=삼성전자) 23일 업계에 따르면 삼성전자 반도체 파운드리사업부 기술개발실 최정민 PL은 4나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 초저전력 공정 기술 개발 성과를 인정받아 이번 상을 수상했다.
삼성전자는 이같은 4나노 초저전력 공정 기술을 선제적으로 도입해 가상화폐 반도체 조기 양산에 성공했다.
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