한국전기연구원(KERI)은 SiC(탄화규소) 전력반도체 제조과정에서 발생하는 치명적인 불량인 '킬러 결함'(killer defect)의 정체를 규명했다고 21일 밝혔다.
킬러 결함의 내부 구조와 발생 원리는 KERI 차세대반도체연구센터 나문경 박사팀과 충남대 홍순구 교수팀, 분석 전문기업 호리바에스텍코리아의 공동 연구로 확인됐다.
연구팀은 그 결과 사다리꼴 결함 내부에 최대 32층으로 구성된 다수 결함이 복잡하게 얽혀있다는 사실을 새롭게 밝혀냈다.
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