SK하이닉스는 18일 차세대 AI용 초고성능 D램 신제품인 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 밝혔다.
또한 최신 인터페이스와 설계 최적화로 데이터 전송 지연을 줄이고 고대역폭 환경에서도 안정적인 동작을 구현하여 차세대 AI 데이터센터와 대규모 컴퓨팅 시스템의 처리 효율을 한층 높인다.
SK하이닉스는 HBM4E에 독자적인 '어드밴스드(Advanced) MR-MUF' 공정을 적용해 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현하는 동시에 구조 안정성을 높였다.
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