벌써 7세대? HBM4E로 튄 불꽃···삼성 ‘속도’ vs SK ‘성능’ 승부
양사는 각각 공정 전략과 공급망 구조를 앞세워 기술 주도권 확보에 나서면서, 차세대 AI 반도체 시장의 판도가 다시 한번 재편될 가능성이 제기된다.
삼성전자는 HBM4E에도 4나노 파운드리 공정과 10나노급 6세대(1c) D램을 적용해 공정 안정성을 확보하는 데 초점을 맞추고 있다.
전력 효율을 크게 개선할 수 있는 3나노 공정과 6세대 D램(1c)을 결합해 성능 경쟁에서 앞서겠다는 구상이다.
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