SK하이닉스가 8단, 12단 적층에 이어 16단 HBM3E(5세대 고대역폭 메모리) D램 양산을 위한 준비를 마치고 내년 초 엔비디아 등 고객사에 샘플칩을 전달할 계획이라고 밝혔다.
SK하이닉스는 16단 칩 적층에 양산 능력이 검증된 첨단 MR-MUF(보충재 충전) 공정을 활용하기로 했다.
SK하이닉스는 이외에도 향후 PC와 데이터센터에 활용될 것으로 예측되는 저전력 LPCAMM2 모듈과 1cnm 기반 LPDDR5와 LPDDR6 D램 개발 소식도 함께 알렸다.
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