1나노 이하(Sub-1nm) 공정의 핵심 후보로 꼽히는 2차원(2D) 단일층(Monolayer) 트랜지스터에서 게이트 절연막 형성 문제를 해결하며 차세대 반도체 상용화 가능성을 한 단계 끌어올렸다.
MoS₂ 표면은 화학적으로 안정적인 구조를 갖고 있어 기존 ALD(Atomic Layer Deposition) 방식으로는 게이트 절연막이 균일하게 형성되지 않는다.
업계는 차세대 GAA 이후 시대를 위한 핵심 기반 기술로 평가했다.
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