삼성, AI 칩 위에 메모리 쌓는다···zHBM 첫 공개
AI 가속기 위에 메모리를 직접 쌓는 차세대 3D 아키텍처를 공개하며, 성능과 전력효율의 한계를 넘어설 차세대 AI 메모리 경쟁에 본격 시동을 걸었다.
AI 반도체의 성능 경쟁이 심화할수록 전력 소모와 발열 부담이 커지는 만큼, 메모리 배치 구조 자체를 바꿔 데이터 병목과 열 문제를 동시에 해소하겠다는 전략이다.
10세대 BV-낸드는 400단 이상의 초고적층 구조를 기반으로 저장 용량과 성능, 전력효율을 높인 차세대 낸드 제품이다.
뉴스픽의 주요 문장 추출 기술을 사용하여 “뉴스웨이” 기사 내용을 3줄로 요약한 결과입니다. 일부 누락된 내용이 있어 전반적인 이해를 위해서는 본문 전체 읽기를 권장합니다.
