삼성전자는 4~6일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 ‘FMS(Future of Memory and Storage) 2026’에 참가해 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O의 목업(Mock-up)을 업계 최초로 공개했다.
삼성전자는 낸드에서도 3D 메모리 아키텍처 비전을 제시했다.
z낸드-O는 온디바이스 AI 환경에서는 제한된 공간 안에서도 높은 성능과 전력 효율을 구현할 수 있는 저장장치 역할을 한다.
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