3D 메모리로 AI 한계 넘는다…‘zHBM·zNAND-O’ 공개

|데일리포스트=송협 대표기자| 삼성전자가 미국에서 개최된 메모리·스토리지 전문 전시회 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026'에 참가해 차세대 3D 메모리 기술과 AI 메모리 대응 전략을 표명했다.

삼성전자는 지난 4일(현지시간)부터 6일까지 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 FMS 2026 현장에서 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O의 실물 모형(Mock-up)을 세계 최초로 출품하고 인공지능 시대를 겨냥한 반도체 기술 로드맵과 미래 발전 방향을 공유했다.

두 발표자는 차세대 3D 메모리 기술을 축으로 AI 인프라 확장에 대응하기 위한 기술적 대안을 마련했다고 강조했다.