삼성전자 "HBM5에 2나노 적용…동작 속도 50% 이상 향상"
HBM4·HBM4E에 적용한 4나노 베이스 다이 양산 경험을 토대로 차세대 HBM의 성능과 전력 효율을 높이는 한편 인공지능(AI)·고성능컴퓨팅(HPC) 고객 수주를 확대해 파운드리 사업의 성장 동력을 강화한다.
HBM의 데이터 처리 속도가 빨라지고 전력 효율에 대한 요구가 높아지면서 HBM4부터 베이스 다이에 기존 메모리 공정 대신 파운드리 선단 공정이 적용되고 있다.
삼성전자는 HBM4와 HBM4E 베이스 다이에 4나노 4세대 공정을 적용했다.
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