반도체 소재 스타트업 아이브이웍스의 선택적 재성장 기술 ‘reGaN’을 적용한 GaN(질화갈륨) 트랜지스터가 세계 최초로 최대 발진 주파수 700GHz를 넘어서는 성능을 달성했다.
핵심 기술로는 아이브이웍스의 선택적 재성장 기술 ‘reGaN’이 적용됐다.
경북대 김대현 교수는 “이번 연구는 GaN HEMT의 RF 성능 한계를 한 단계 끌어올린 결과”라며 “산업계 재성장 기술과 대학 소자 연구 역량이 결합된 산학협력 성과”라고 설명했다.
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