SK하이닉스가 차세대 인공지능(AI)용 초고성능 D램 신제품인 'HBM4E' 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다고 18일 밝혔다.
이번에 공급한 HBM4E는 이전 세대인 HBM4 대비 성능과 전력 효율을 대폭 개선했다.
SK하이닉스는 이 공정을 통해 칩의 구조적 안정성을 높이는 동시에, 열 저항을 HBM4 대비 약 17% 낮춰 고성능 컴퓨팅 환경에서 발생하는 메모리 발열 문제를 효과적으로 제어했다.
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