삼성, 초소형 3D 적층 트랜지스터 첫 구현…"GPU도 위아래 쌓는다"
삼성전자가 반도체 미세화 한계를 극복할 수 있는 차세대 3차원(3D) 적층 트랜지스터(3D Stacked FET) 기술을 업계 최초로 구현했다.
수직 적층 구조를 적용하면 같은 면적당 트랜지스터 개수가 두 배로 늘어나기 때문에 전력 효율 역시 두 배 개선될 수 있다.
수직 적층 구조는 반도체업계에서 그리 낯설지 않다.
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