이번 연구는 차세대 반도체 배선 물질로 주목받는 루테늄(Ru)의 원자층 증착(ALD) 공정에서 오랫동안 해결되지 않았던 계면 산화막 형성 문제를 근본적으로 극복한 것으로, 학계와 산업계의 큰 관심을 끌고 있다.
또한 연구팀은 차세대 미세 패터닝 기술인 영역 선택적 원자층 증착(ASD)으로의 확장 가능성도 제시했다.
이 교수는 "이번 성과는 복잡한 나노 스케일 반도체 아키텍처 내에서 고순도 금속 배선을 균일하게 증착할 수 있는 화학적 가이드라인을 제시한 것"이라며 "산업적으로도 차세대 반도체 제조 공정의 수율과 성능을 극대화할 수 있는 핵심 기술로 자리매김할 것"이라고 밝혔다.
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