삼성전자의 HBM4E는 설계 및 공정 최적화를 통해 전작 대비 성능을 대폭 개선했다.
삼성전자가 세계 최초로 HBM4E를 글로벌 고객사에 전격 공급했다고 29일 밝혔다.(사진=삼성전자) 삼성전자의 HBM4E 제품은 자사 반도체 위탁생산(파운드리) 사업부의 4나노 베이스 다이(로직 다이)를 채택했으며, D램 공정 역시 최선단 수준인 10나노급 6세대(1c)를 적용했다.
삼성전자가 HBM4 양산에 이어 HBM4E 샘플까지 가장 먼저 공급하면서 차세대 AI 메모리 시장 주도권 확보에 한발 더 나아갔다는 평가다.
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