AI 데이터센터 확산으로 HBM, DRAM, NAND 수요가 동시에 늘면서 메모리 밀도와 수율, 전력 효율을 높이는 차세대 구조 경쟁이 본격화되는 흐름이다.
DRAM은 단순 연산용 트랜지스터와 달리 데이터 저장용 커패시터가 필요하기 때문에 구조 설계가 더 복잡하다.
해당 방식은 메모리 셀 면적을 줄이고, 위쪽 공간을 데이터 저장 구조에 더 효율적으로 활용할 수 있다는 장점이 있다.
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