'HBM 두뇌' 경쟁…삼성전자·SK하닉 '베이스 다이' 전략은
특히 7세대 HBM4E부터 삼성전자와 SK하이닉스가 베이스 다이에 모두 첨단 공정을 적용하며 성능 경쟁에 나설 것으로 보인다.
이에 삼성전자는 6세대 HBM4에서 삼성 파운드리의 첨단 4나노 공정을 적용해 베이스 다이 성능을 끌어올렸다.
삼성전자가 경쟁사 대비 앞선 10나노급 6세대(1c) D램 공정을 적용한 데 이어, 베이스 다이에서도 첨단 파운드리 공정을 채택하면서 HBM4 성능 면에서는 SK하이닉스 대비 우위를 점할 수 있었다는 평가가 나온다.
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