삼성, 내달부터 화성캠퍼스서 HBM4용 1c D램 생산 개시
삼성전자가 차세대 HBM4의 엔비디아 납품에 맞춰 내달부터 화성캠퍼스의 낸드플래시 생산라인 일부에서 최신 공정(1c)을 적용한 D램 생산을 시작한다.
업계에 따르면 삼성전자는 3월부터 화성캠퍼스 12라인에서 2D 낸드 플래시 생산을 중단하고 고급 메모리인 1c DRAM 생산을 개시한다.
이번 화성캠퍼스 12라인에서의 생산 중단으로 2D 낸드는 공식적으로 막을 내리게 된다.
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