SK하이닉스, 용인 클러스터 1기팹 완공 위해 21.6조 추가 투자
SK하이닉스가 인공지능(AI) 반도체 생산 거점으로 중장기 투자 중인 용인 반도체 클러스터의 1기 팹(fab·반도체 생산공장) 완공을 위해 21조원대 추가 투자를 확정했다.
SK하이닉스는 25일 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체 클러스터 1기 팹과 클린룸 페이즈(Phase) 2∼6기 건설에 21조6천81억원을 투자하기로 결정했다고 공시했다.
SK하이닉스는 1기 팹에서 고대역폭 메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이며, 팹 완공 시점의 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했다.
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