김기남 삼성전자 고문이 '반도체 올림픽'으로 불리는 세계 최고 권위 학술대회인 '국제고체회로학회(ISSCC) 2026'에 참석해 TSMC와 2나노 파운드리 선단공정 경쟁에서 중대 고비에 서있는 삼성전자를 위해 "2나노 성공열쇠는 'MBCFET(Multi-Bridge Channel FET)' 기술에 있다"고 조언했다.
김 고문은 "채널을 층층이 추가함으로써 성능을 향상시켰고 현재 삼성은 그렇게 2나노 MBCFET 공정을 추진 중"이라 덧붙이며 MBCFET는 단순한 구조 전환이 아니라 차세대 반도체 패러다임 전환의 핵심 기술이란 점을 분명히 했다.
업계에 따르면 2나노 이하 공정에서는 핀펫 구조의 단채널 효과 심화와 누설전류 증가 문제가 뚜렷해지면서 전류 제어력이 더 뛰어난 GAA 구조 전환이 불가피하다는 평가가 나온다.
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