낸드 한계 보완하는 소재 제안…삼성 휴먼테크논문 '대상'

삼성전자가 신진 연구자를 발굴하고 육성하기 위해 진행한 삼성휴먼테크논문대상에서 기존 낸드플래시 한계를 보완할 수 있는 새로운 소재를 제안한 연구가 대학 부문 대상을 수상했다.

제32회 삼성휴먼테크논문대상에서 대학 부문 대상을 수상한 한국과학기술원(KAIST) 전기및전자공학부 강대현씨.(사진=삼성전자) 대학 부문 대상을 받은 강대현씨는 ‘플래시 메모리 터널링층 내 적용된 붕소 옥시나이트라이드(BON) 소재의 밴드갭 엔지니어링 연구’로 수상했다.

기존 터널링층 구조에 핵심 재료로 사용되는 실리콘 옥시나이트라이드(SiON)의 경우, 데이터를 지울 때 원치 않는 누설이 함께 발생해 저장 안정성이 낮아질 수 있다.