삼성전자, HBM4 속도·수율 모두 잡으며 초격차 기술 재입증

통상 검증된 공정을 활용해 안정성을 확보하던 과거 방식과 달리 선단 공정을 양산 초기부터 적용해 수율과 성능을 동시에 확보했다는 것이 가장 큰 차별점이다.

HBM4 I/O(입출력) 핀이 2048개로 늘어나며 전력과 발열 부담이 커졌지만, 코어 다이 저전력 설계와 전력 분배 네트워크(PDN) 최적화를 통해 에너지 효율을 약 40% 개선했다.

반도체 업계 관계자는 "선단 공정을 적용하면서도 수율을 안정화하는 데 성공했다는 점에서 삼성전자가 그동안 추구해온 초격차 기술의 회복을 상징하는 사건"이라며 "향후 HBM4E와 커스텀 HBM 등 고부가 제품으로의 전환에 있어서도 이번 양산이 분기점이 될 것"이라고 진단했다.