삼성전자가 세계 최초로 차세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM4 양산 출하에 성공하며, AI 반도체 수요 확대 속 초격차 기술력을 입증했다.
삼성전자는 HBM4 개발 초기 단계부터 국제 반도체 표준기구 JEDEC 기준을 상회하는 성능 목표를 설정하고, 최선단 공정 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입해 재설계 없이 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 동시에 확보했다고 12일 밝혔다.
삼성전자는 메모리 적층 구조의 핵심인 ‘베이스 다이’에 성능과 전력 효율이 뛰어난 4나노 파운드리 공정을 적용했다.
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