삼성전자, 세계 최초 HBM4 양산 출하
삼성전자는 세계 최초로 6세대 고대역폭 메모리(HBM4)를 양산 출하한다고 12일 밝혔다.
삼성전자는 1c D램을 적용하는 한편, 베이스 다이의 특성을 고려해 성능과 전력 효율 측면에서 유리한 4나노 공정을 적용했다.
전작인 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치다.
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