삼성전자가 세계 최초로 업계 최고 성능의 HBM4 양산 출하에 돌입하며 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 시장 선점에 나섰다.
최선단 1c D램과 파운드리 4나노 공정을 동시에 적용, 양산 초기부터 안정적인 수율과 성능을 확보했다는 점이 특징이다.
데이터 I/O 핀이 2,048개로 늘어나며 커진 전력·열 부담을 줄이기 위해 코어 다이에 저전력 설계를 적용했고, TSV 저전압 구동과 전력 분배 네트워크(PDN) 최적화를 통해 에너지 효율을 전 세대 대비 약 40% 개선했다.
뉴스픽의 주요 문장 추출 기술을 사용하여 “이뉴스투데이” 기사 내용을 3줄로 요약한 결과입니다. 일부 누락된 내용이 있어 전반적인 이해를 위해서는 본문 전체 읽기를 권장합니다.