27일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 다음 달부터 6세대 HBM인 HBM4 양산에 돌입해 엔비디아 등 글로벌 빅테크 고객사에 공급하는 방안을 추진 중인 것으로 알려졌다.
이 같은 성능은 설계 단계부터 공격적인 공정 전략을 택한 결과로 풀이된다.
삼성전자는 HBM의 핵심인 로직 다이를 4나노 공정으로 구현하고, D램에는 6세대(1c·11나노급) 공정을 적용한 것으로 알려졌다.
뉴스픽의 주요 문장 추출 기술을 사용하여 “이뉴스투데이” 기사 내용을 3줄로 요약한 결과입니다. 일부 누락된 내용이 있어 전반적인 이해를 위해서는 본문 전체 읽기를 권장합니다.